三星计划2021年量产3nm GAA FinFET

芯方式管理员2018年5月29日
三星电子计划于2021年量产FinFET晶体管架构的后继产品——采用3纳米(nm)制程节点的环绕式闸极(gate-all-around;GAA)晶体管。在上周二(5月22日)举行的年度代工技术论坛上,这家韩国巨擘重申将在今年下半年使用极紫外光(EUV)微影开始7nm生产的计划。(电子工程专辑)

三星计划2021年量产3nm GAA FinFET

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